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      英特爾公布半導體制造晶體管新方法:將使下一輪處理器性能提高20%

      英特爾周四公布了一種在半導體上制造晶體管的新方法,該公司首席設計師表示,這一新的方法將使英特爾下一輪處理器的性能提高20%。

      英特爾是全球上為數不多的自己設計同時還制造芯片的公司之一。不過,該公司上個月表示,其7nm芯片技術的進度較原計劃晚了 6 個月,主要由于該工藝中存在“缺陷”,導致良率受到影響。

      周四,英特爾(Intel)披露了其將改進現有10nm處理器節點,該公司宣布了一種制造 被稱為“ SuperFin ”技術晶體管的新方法,這種方法連同一種用于改進芯片電容器的新材料,有望提高英特爾即將推出的處理器的性能,盡管它們仍在10nm的生產線上生產。

      英特爾首席架構師Raja Koduri稱,即使有了新的晶體管技術,英特爾也已重新設計其芯片設計流程,使其能夠更方便地使用自己的芯片工廠或外部芯片工廠。

      他表示:“無論如何,只要能讓我們按時交付這些產品,憑借領先的表現,我們就擁有靈活性,并將利用這一點。”

      關鍵詞: 英特爾 半導體 晶體管

      責任編輯:Rex_07

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