西數日前發布了新一代UFS3.1閃存——iNANDMCEU551系列

西數日前發布了新一代UFS 3.1閃存——iNAND MC EU551系列，主要針對最新的5G手機，最大容量512GB，寫入速度可達1550MB/s。

IDC預計2021年5G手機將占全球出貨量的40%，2025年進一步提升到69%的比例，隨著網絡速度的提升，5G手機對存儲容量、性能的要求也會提高，特別是VR/AR、游戲及8K視頻等應用的普及。

西數推出的iNAND MC EU551是他們的第二代UFS 3.1閃存，采用了最新的閃存，專為5G旗艦手機、平板設計，支持UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lanee，支持Write Booster 和 Host Performance Booster 2.0，寫入速度可達1550MB/s，性能與桌面NVMe硬盤有得一拼了。

容量方面，iNAND MC EU551系列有128、256及512GB三種，預計今年7月份開始上市，下半年的5G旗艦有望搭載，不過售價沒公布。

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